必备条件:
1.需要懂器件物理，3年以上经验
2.全日制本科以上学历，985/211优先，年龄先看40以内
3.稳定性强，一两年一跳的不要
MRAM最好，NOR FLASH/NAND FLASH/DRAM/EEPROM/FRAM/RRAM等方向都可以
优先条件:
致真存储、江波龙、东芯半导体、Everspin、三星、Avalanche Technology等
岗位职责:
岗位职责
1、负责存储器芯片架构、方案设计及 IO 规划，定义存储单元、阵列等硬核电路模块规格。
2、开展存储单元、读 / 写 / 驱动 / 译码 / 冗余电路设计，完成硬核模块仿真验证。
3、协作团队解决设计问题，保障电路满足存储芯片性能与可靠性要求，支持项目推进。
任职要求:
任职要求
1、硕士及以上，微电子、集成电路相关专业，扎实掌握存储器设计原理、器件物理。
2、熟悉存储器阵列设计，能熟练使用仿真工具，3 年以上相关设计经验。
3、具备问题分析能力与团队协作精神，可读写英文技术资料，有流片经验更佳。